STGB10NB40LZT4技术参数详情：
STGB10NB40LZT4是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证、汽车级IGBT，采用PowerMESH技术和DPAK封装。其核心电气参数包括440V的集射极击穿电压、20A的连续集电极电流以及低至1.8V @ 10A的饱和压降，在保证高可靠性的同时实现了优异的导通性能。
该器件开关特性经过优化，总栅极电荷为28nC，开关能量较低，有助于减少开关损耗，提升系统效率。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和150W的最大功耗能力，使其能够胜任汽车及工业环境中各种高要求的功率开关任务，如电机驱动、电源转换等。
- 型号:STGB10NB40LZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 440V 20A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:440 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A
- 功率 - 最大值:150 W
- 开关能量:2.4mJ（导通），5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:28 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:1.3s/8s
- 测试条件:328V，10A，1 千欧，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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