SCTW90N65G2V技术参数详情：
SCTW90N65G2V是ST意法半导体推出的一款采用HiP247封装的N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件集成了宽禁带半导体技术的优势，旨在为高功率应用提供高效率和高可靠性的解决方案。
其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和90A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，确保了强大的功率处理能力。同时，其导通电阻（Rds(on)）低至25毫欧（@50A，18V），结合仅157nC的栅极电荷（Qg），显著降低了导通与开关损耗，提升了系统整体能效。器件支持-55°C至200°C的宽结温工作范围，适用于严苛环境。
- 型号:SCTW90N65G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 90A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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