STGB12NB60KDT4技术参数详情：
STGB12NB60KDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、30A IGBT，集成于DPAK表面贴装封装中。该器件在15V栅极驱动下具有较低的饱和压降，有助于降低导通损耗，同时其优化的开关特性（关断能量258J，反向恢复时间80ns）确保了在高频开关应用中的高效能与可靠性。
其设计支持高达125W的功率耗散，工作结温可达150°C，结合封装本身优异的散热能力，使其能够应对严苛的热环境。该器件适用于电机驱动、逆变器和开关电源等需要紧凑型中功率开关解决方案的领域。请注意，此型号目前已停产。
- 型号:STGB12NB60KDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 30A 125W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:258J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:54 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/96ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):80 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 现在可以订购STGB12NB60KDT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
