STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4是意法半导体推出的一款600V、25A的N沟道IGBT，采用TO-263-3（DPAK）表面贴装封装。该器件基于先进的PowerMESH技术，集成了一个超快恢复续流二极管，旨在提供优异的开关性能与低导通损耗。

其核心电气参数表现突出：在15V栅极驱动下，7A电流时的典型饱和压降仅为2.5V，有助于降低导通损耗；总栅极电荷低至34.4nC，便于驱动并支持较高开关频率。在典型测试条件下，其开关能量较低（开通82J，关断155J），开关速度快，能有效提升系统效率并减少电磁干扰。80W的最大功耗能力和-55°C至150°C的宽结温范围，确保了其在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STGB14NC60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:82J（导通），155J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:34.4 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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