STGB15M65DF2技术参数详情：
STGB15M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V、30A沟槽栅场截止IGBT，采用表面贴装TO-263封装。该器件集成了一个快速恢复二极管，并具备优异的开关性能，其开启与关断延迟时间短，栅极电荷低，有助于降低开关损耗，提升系统效率。
在15A电流、15V栅极电压条件下，其最大饱和压降仅为2V，确保了较低的导通损耗。宽达-55°C至175°C的工作结温范围和高达136W的功耗处理能力，使其能够适应严苛的工作环境。这些特性使其成为功率因数校正、太阳能逆变器、UPS及电机驱动等中高功率应用的理想选择。
- 型号:STGB15M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:136 W
- 开关能量:90J（导通），450J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:45 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns
- 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):142 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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