STD26NF10

STD26NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值与高达25A（Tc）的连续电流处理能力，为功率开关应用提供了坚实的电压和电流裕量。

其技术亮点集中体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至38毫欧（@12.5A），显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值55nC @10V）有助于实现快速开关并减小驱动电路的压力，从而提升整体系统的转换效率与工作频率潜力。

• 型号:STD26NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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