STGB19NC60KDT4技术参数详情：
STGB19NC60KDT4是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款600V/35A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关性能的优化组合，典型饱和压降Vce(on)低至2.75V @ 15V， 12A，同时具备165J/255J的低开关能量和31ns的快速反向恢复时间。
该器件最大功耗为125W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了高功率密度应用下的可靠运行。其35A的连续电流和75A的脉冲电流能力，结合标准输入特性和55nC的低栅极电荷，为电机驱动、电源转换和工业逆变器等应用提供了高效、坚固的功率开关解决方案。
- 型号:STGB19NC60KDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 35A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:165J（导通），255J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:55 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):31 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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