STGB19NC60KT4技术参数详情：
STGB19NC60KT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V/35A IGBT，集成于DPAK表面贴装封装。其核心卖点在于优异的导通与开关性能平衡，集射极饱和压降最大仅2.75V（@15V，12A），有效降低了导通损耗；同时，其开关能量与开关时间参数优化，支持高效率的功率切换。
该器件设计用于处理高达125W的功率，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备35A连续电流和75A脉冲电流能力，满足工业级应用的鲁棒性要求。其标准输入电平和55nC的栅极电荷简化了驱动电路设计，主要面向电机驱动、UPS、焊接及光伏逆变器等中功率开关电源应用场景。
- 型号:STGB19NC60KT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:165J（导通），255J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:55 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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