STP45NE06

STP45NE06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于高效功率开关，其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达45A的连续漏极电流处理能力。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为28毫欧。同时，较低的栅极电荷（最大80nC）有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性使其成为要求高电流处理能力和高开关效率的功率转换应用的理想选择，例如DC-DC转换器、电机驱动和各类电源管理系统。

• 型号:STP45NE06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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