STGW60H65DFB

STGW60H65DFB是ST意法半导体生产的一款有源、高性能IGBT单管，采用沟槽型场截止技术，封装为TO-247。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力：集射极击穿电压高达650V，连续集电极电流达80A，脉冲电流能力更达240A，最大功率为375W。

该器件的关键优势在于优异的导通与开关效率。其在15V栅极电压、60A集电极电流条件下的饱和压降典型值仅为2V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量（开启1.09mJ，关断626J）与快速的开关时间（典型延迟时间开51ns/关160ns）相结合，确保了在高频应用中的低开关损耗。宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）则保证了其在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:STGW60H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
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