STGB20NB32LZ技术参数详情：
STGB20NB32LZ是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK（TO-263AB）封装的表面贴装型IGBT。该器件隶属于PowerMESH产品系列，核心规格为375V集射极击穿电压、40A持续集电极电流（脉冲80A）以及150W的最大功耗，设计用于高效的中功率开关应用。
其技术亮点在于优异的导通特性，在4.5V栅极电压、20A电流条件下，集射极饱和压降典型值仅为2V，有效降低了导通损耗。同时，51nC的低栅极电荷和11.8mJ的关断开关能量，使其具备良好的开关性能，有助于提升系统整体效率。器件支持高达175°C的结温，确保了在高温环境下的稳定工作能力。
- 型号:STGB20NB32LZ
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:375 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A
- 功率 - 最大值:150 W
- 开关能量:11.8mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:51 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:2.3s/11.5s
- 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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