STGB20NB41LZT4技术参数详情：
STGB20NB41LZT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的表面贴装IGBT。该器件核心优势在于其442V的集射极击穿电压与40A的连续集电极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流余量。
其技术亮点包括在20A电流、4.5V栅极驱动下的典型导通压降仅为2V，以及200W的最大功耗处理能力，这共同保障了低导通损耗和高功率输出。配合TO-263AB（DPak）封装优异的散热特性，使其成为追求高功率密度和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业逆变器等应用的理想选择。
- 型号:STGB20NB41LZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 442V 40A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:442 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A
- 功率 - 最大值:200 W
- 开关能量:5mJ（导通），12.9mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:46 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:1s/12.1s
- 测试条件:320V，20A，1 千欧，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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