VNN7NV04PTR-E技术参数详情：
VNN7NV04PTR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列的一款单片智能高边功率开关，采用VIPower技术。该器件集成N沟道MOSFET与驱动保护电路于SOT-223封装，提供完整的负载驱动解决方案。
其核心特性包括高达6A的连续输出电流能力，以及低至65毫欧的典型导通电阻，确保高效功率传输。器件支持最大36V负载电压，工作温度范围覆盖-40°C至150°C，具备限流、过温和过压保护，通过简单的开/关逻辑接口控制，无需外部供电，显著简化设计并提升系统可靠性。
- 型号:VNN7NV04PTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:6A
- 导通电阻（典型值）:65 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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