STGB30H60DF技术参数详情：
STGB30H60DF是ST意法半导体推出的一款采用沟槽型场截止技术的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用DPAK表面贴装封装。其核心电气参数为600V集射极击穿电压与60A最大集电极电流，脉冲电流能力达120A，最大功耗260W，具备高功率处理能力。
该器件在15V栅极电压、30A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.4V，配合350J（开）和400J（关）的开关能量，实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。其工作结温范围覆盖-40°C至175°C，反向恢复时间为110ns，适用于对效率和可靠性有较高要求的工业功率转换场景。
- 型号:STGB30H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:350J（导通），400J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:105 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/160ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):110 ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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