STGB30M65DF2

STGB30M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V、30A沟槽型场截止IGBT，采用DPak表面贴装封装。该器件集高电压能力与低导通损耗于一身，其Vce(on)在30A电流下典型值仅为2V，同时具备60A的连续电流和120A的脉冲电流处理能力，最大功耗达258W，为高功率密度设计提供了坚实基础。

其开关性能经过优化，拥有快速的开关速度（td(on)/td(off)典型值为31.6ns/115ns）与较低的开关能量，有助于提升系统效率并降低电磁干扰。标准输入类型与80nC的栅极电荷使其易于驱动。结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，这款IGBT非常适合应用于工业电机驱动、UPS、太阳能逆变及焊接设备等高效、高可靠的功率转换系统。

• 型号:STGB30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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