STGB3NB60KDT4技术参数详情：
STGB3NB60KDT4是意法半导体推出的一款采用表面贴装DPAK封装的600V、10A IGBT，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管，旨在提供优异的开关性能与导通特性平衡。
其核心电气参数表现突出：最大集电极-发射极饱和压降Vce(on)低至2.8V（@15V，3A），有助于降低导通损耗；同时，其开关能量较低（开通30J，关断58J），开关延迟时间短，支持较高频率的开关操作。器件最大功耗为50W，最高结温可达150°C，确保了应用的可靠性。
综合来看，STGB3NB60KDT4适用于要求高效率和高功率密度的中功率开关应用，是紧凑型电源和电机驱动设计的理想选择之一。
- 型号:STGB3NB60KDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 10A 50W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:50 W
- 开关能量:30J（导通），58J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:14 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/33ns
- 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):45 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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