STN1NK60ZL技术参数详情：
STN1NK60ZL是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件的核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡，旨在提升高压开关应用的能效和可靠性。
其电气参数显示，在10V栅极驱动下，导通电阻典型值为15欧姆@400mA，而栅极电荷最大值仅为6.9nC，这有助于降低传导与开关损耗。器件支持300mA的连续漏极电流（Tc）和-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求严苛的工业环境。这些特性使其成为小功率离线式开关电源、辅助电源及各类高压开关电路的紧凑型高效解决方案。
- 型号:STN1NK60ZL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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