STGB3NB60SDT4技术参数详情：
STGB3NB60SDT4是ST意法半导体推出的一款采用D2PAK表面贴装封装的600V、6A IGBT。该器件隶属于PowerMESH产品系列，集成了一个快速恢复二极管，构成了一个紧凑的功率开关解决方案。
其核心电气参数针对高效、可靠的开关操作进行了优化。在15V栅极驱动下，3A电流时最大导通压降仅为1.5V，有效降低了导通损耗。同时，其关断能量为1.15mJ，反向恢复时间为1.7s，确保了良好的开关性能。该器件支持高达175°C的结温，最大功耗70W，具备较强的热管理能力。
这些特性使其成为中功率开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用的理想选择，尤其适用于需要高功率密度和表面贴装设计的场合。
- 型号:STGB3NB60SDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 6A 70W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:70 W
- 开关能量:1.15mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:125ns/3.4s
- 测试条件:480V，3A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):1.7 s
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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