STS7C4F30L技术参数详情：
STS7C4F30L是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道与P沟道MOSFET阵列芯片，采用8-SOIC封装。该器件集成了逻辑电平门驱动的双MOSFET，漏源电压为30V，N沟道连续漏极电流达7A，P沟道达4A，可直接由低电压逻辑电路控制，简化了驱动设计。
其关键性能参数包括低至22毫欧的导通电阻（10V Vgs时）以及最大23nC的栅极电荷，这共同实现了较低的导通损耗和快速的开关特性，有助于提升能效。该芯片适用于需要紧凑布局和高效开关的中等功率应用。
- 型号:STS7C4F30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A，4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 现在可以订购STS7C4F30L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
