STGB40V60F技术参数详情：
STGB40V60F是ST意法半导体生产的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心优势在于其优化的导通与开关性能平衡，在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，有助于显著降低导通损耗；同时，其开关能量（开：456J，关：411J）与快速的开关时间（Td(on)/Td(off): 52ns/208ns @测试条件）使其适用于较高频率的开关应用。
该IGBT最大功耗为283W，工作结温范围达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。其标准输入电平和226nC的栅极电荷，简化了驱动电路设计。综合来看，STGB40V60F是一款旨在提升系统效率与功率密度的功率开关器件，主要面向电机驱动、逆变器及工业电源等中高功率应用领域。
- 型号:STGB40V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:456J（导通），411J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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