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STGB50H65FB2
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-263（D2PAK）
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
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STGB50H65FB2技术参数详情：
- 型号:STGB50H65FB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:272 W
- 开关能量:910J（导通），580J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:151 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/115ns
- 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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