STGB6M65DF2技术参数详情：
STGB6M65DF2是意法半导体推出的一款650V、12A沟槽型场截止IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其优化的沟槽场截止技术，实现了低至2V（@15V，6A）的饱和压降和较低的开关能量（开通36J，关断200J），从而在导通与开关损耗之间达到出色平衡，显著提升系统效率。
其电气参数设计兼顾了性能与鲁棒性，具备24A的脉冲电流能力和高达175°C的结温工作范围。标准输入电平驱动与21.2nC的低栅极电荷简化了驱动设计，而内部集成的高速二极管（反向恢复时间140ns）进一步优化了开关性能。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中高功率密度应用的可靠解决方案。
- 型号:STGB6M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:36J（导通），200J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
- 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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