STL34N65M5

STL34N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高效率、高密度功率转换设计。该器件提供650V的漏源击穿电压，并在10V栅极驱动下实现仅120毫欧的低导通电阻（@12A），结合低至62.5nC的栅极电荷，显著优化了开关性能与导通损耗的平衡。

其采用热增强型表面贴装PowerFlat（8x8）HV封装，支持高达150°C的结温，在紧凑的占位面积内提供了出色的散热能力。这些特性使其成为工业电源、PC和服务器SMPS、PFC电路以及LED驱动等高压应用中提升能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STL34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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