STGD10NC60HT4技术参数详情：
STGD10NC60HT4是ST意法半导体推出的一款600V、20A N沟道IGBT，采用DPAK表面贴装封装，隶属于高性能的PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极驱动、5A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.5V，有效降低了导通损耗，其最大功耗为60W。
该IGBT具备优化的开关特性，开启与关断延迟时间短，开关能量低，支持较高频率的开关操作，有助于提升整体系统效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。这些特性使其成为工业电机驱动、开关电源及各类功率转换应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGD10NC60HT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 20A 60W DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:60 W
- 开关能量:31.8J（导通），95J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:19.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns
- 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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