STGD3NB60FT4

STGD3NB60FT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、6A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，典型饱和压降仅为2.4V，实现了低导通损耗；其开关特性经过优化，关断能量为125J，反向恢复时间快至45ns，有助于提升系统在中等开关频率下的整体效率。

该IGBT具备24A的脉冲电流处理能力和150°C的最高工作结温，提供了良好的过载与热可靠性。16nC的低栅极电荷简化了驱动电路设计。这些核心参数使其成为适用于紧凑型开关电源、电机驱动及各类工业功率控制应用的可靠解决方案。

• 型号:STGD3NB60FT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:60 W
• 开关能量:125J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:16 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns
• 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):45 ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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