STGD3NB60HDT4技术参数详情：
STGD3NB60HDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的N沟道IGBT，封装于DPAK（TO-252）表面贴装外形中。该器件核心参数包括600V的集射极击穿电压和10A的连续集电极电流，最大功耗为50W。
其关键电气特性在于优异的导通与开关性能：在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，最大饱和压降（Vce(on)）仅为2.8V，有助于降低导通损耗；同时，其栅极电荷低至21nC，关断开关能量为33J，确保了快速、高效的开关动作。这些特性使其成为中等功率、中等频率开关应用的理想选择。
- 型号:STGD3NB60HDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:50 W
- 开关能量:33J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:5ns/53ns
- 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):95 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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