STP200N3LL技术参数详情：
STP200N3LL是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(ON)典型值2.4mΩ @ 10V, 60A）与高电流承载能力（连续漏极电流Id高达120A），这使其在功率开关应用中能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。
该器件具备30V的漏源电压（Vdss）和优化的栅极电荷（Qg），支持快速开关操作，适用于高频开关场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换器等高效功率电路的理想选择。
- 型号:STP200N3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:176.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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