STGD4M65DF2技术参数详情：
STGD4M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款有源、表面贴装型绝缘栅双极晶体管（IGBT）。该器件采用沟槽型场截止技术，核心额定值为650V集射极击穿电压和8A连续集电极电流，脉冲电流能力达16A，最大功耗68W。
其关键电气特性包括低至2.1V @ 15V, 4A的饱和压降（Vce(on)），以及快速的开关性能（开启延迟12ns，关断延迟86ns），配合40J（开）和136J（关）的开关能量，有效平衡了导通与开关损耗。器件栅极电荷低（15.2nC），标准输入类型，工作结温范围宽达-55°C至175°C，采用TO-252-3（DPak）封装，为中小功率高频开关应用提供了高效、可靠的解决方案。
- 型号:STGD4M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值:68 W
- 开关能量:40J（导通），136J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:15.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
- 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):133 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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