STGD5H60DF技术参数详情：
STGD5H60DF是ST意法半导体推出的一款采用沟槽型场截止技术的单管IGBT。该器件额定电压为600V，连续集电极电流达10A，脉冲电流能力为20A，为核心的中等功率应用提供了坚实的电气基础。
其核心优势在于优异的能效与开关性能平衡。在15V栅极驱动、5A集电极电流条件下，饱和压降典型值仅为1.95V，有效降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（开启/关断延迟分别为30ns/140ns）与较低的开关能量，使其非常适合要求高效率和高开关频率的功率转换拓扑。
器件采用TO-252-3（DPak）表面贴装封装，工作结温范围宽（-55°C至175°C），最大功耗83W，确保了设计的紧凑性与在苛刻环境下的高可靠性，适用于开关电源、电机驱动及各类逆变器应用。
- 型号:STGD5H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:83 W
- 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:43 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
- 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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