STGD7NB120S-1

STGD7NB120S-1是意法半导体推出的一款分立式IGBT，隶属于PowerMESH产品系列。该器件设计用于中高功率开关应用，其核心参数包括1200V的集射极击穿电压和10A的连续集电极电流，脉冲电流能力达20A。

在电气性能上，它在15V V_GE、7A I_C条件下的典型饱和压降为2.1V，结合29nC的低栅极电荷，实现了较低的导通与开关损耗平衡。器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，最大功耗55W，最高工作结温150°C，为电机驱动、电源转换等应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STGD7NB120S-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 10A TO-251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:55 W
• 开关能量:15mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:29 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:570ns/-
• 测试条件:960V，7A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
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