STGD7NB60KT4技术参数详情：
STGD7NB60KT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、14A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用DPak表面贴装封装。该器件在典型工作条件下（15V Vge， 7A Ic）具有低至2.8V的最大饱和压降（Vce(on)），有效降低了导通损耗，其优化的开关特性（开启/关断延迟典型值为15ns/50ns）则有助于控制开关损耗，从而在宽泛的工作范围内实现较高的能源效率。
该IGBT具备56A的脉冲电流处理能力，最大功耗为70W，并支持高达150°C的结温工作。其标准输入电平和32.7nC的典型栅极电荷使其易于驱动，而紧凑的TO-252-3封装设计则有利于在空间受限的应用中实现高功率密度和有效的热管理。这些特性使其成为中功率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路的理想选择。
- 型号:STGD7NB60KT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 14A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A
- 功率 - 最大值:70 W
- 开关能量:95J（导通），140J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:32.7 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/50ns
- 测试条件:480V，7A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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