STGF10NC60SD技术参数详情：
STGF10NC60SD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V/10A IGBT，隶属于PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管，最大功耗为25W，其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的平衡。
在典型工作点（15V Vge， 5A Ic）下，其最大饱和压降仅为1.65V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量（开60J，关340J）与开关延迟时间参数，确保了在中等开关频率下的可靠运行。内置二极管22ns的快速反向恢复特性进一步优化了开关表现。其宽结温工作范围（-55°C至150°C）提供了良好的环境适应性。
- 型号:STGF10NC60SD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 10A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:25 W
- 开关能量:60J（导通），340J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns
- 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):22 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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