STY34NB50技术参数详情：
STY34NB50是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用PowerMESH技术和MAX247通孔封装。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下34A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，同时栅极电荷（Qg）控制在223nC，这有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。其设计支持高达150°C的结温（TJ）和450W（Tc）的功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STY34NB50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:223 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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