STGF15H60DF技术参数详情：
STGF15H60DF是ST意法半导体生产的一款沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。其核心电气参数为600V集射极击穿电压和30A连续集电极电流，最大饱和压降低至2V @ 15V，15A，这确保了器件在导通状态下具有较低的功率损耗。
该器件具备快速开关能力，开关能量分别为136J（开）和207J（关），开关延迟时间短，反向恢复时间仅为103ns，适合高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并支持60A的脉冲电流，提供了出色的鲁棒性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换等中等功率领域。
- 型号:STGF15H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220FP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:30 W
- 开关能量:136J（导通），207J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:81 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns
- 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):103 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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