STGF20H65DFB2技术参数详情：
STGF20H65DFB2是ST意法半导体生产的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220-3封装。该器件核心优势在于其优化的性能平衡，在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.1V，实现了优异的低导通损耗。
同时，其开关特性经过设计，具备较低的栅极电荷（56nC）与开关能量，确保了高效的开关操作。该IGBT工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高可靠性要求的工业环境，是电机驱动、电源转换等中高功率应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGF20H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:45 W
- 开关能量:265J（导通），214J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:56 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):215 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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