STP18N60DM2

STP18N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在TO-220封装内实现了600V漏源电压与12A连续漏极电流的高压大电流处理能力，主要面向高效率的功率开关应用。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（R_DS(on)）最大值低至295mΩ @ 10V，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g典型值20nC）和输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业电源系统中提升能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STP18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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