STGFW20V60DF技术参数详情：
STGFW20V60DF是ST意法半导体生产的一款600V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3PF封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在20A电流下典型饱和压降仅为2.2V，同时具备较低的开关能量（开启200J，关断130J）和快速的反向恢复时间（40ns），这有助于提升系统整体能效并降低开关损耗。
该器件设计鲁棒，支持高达80A的脉冲电流和175°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。其标准输入类型与116nC的栅极电荷，使其易于驱动并兼容广泛的栅极驱动方案，适用于电机驱动、工业变频、UPS及太阳能逆变器等中功率转换应用。
- 型号:STGFW20V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3PF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:52 W
- 开关能量:200J（导通），130J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:116 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
- 测试条件:400V，20A，15V
- 反向恢复时间 (trr):40 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:TO-3PF
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