STGFW30H65FB技术参数详情：
STGFW30H65FB是ST意法半导体生产的一款650V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3PFM封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在30A电流下典型饱和压降仅为2V，同时具备快速的开关特性（开启延迟37ns，关断延迟146ns），有效降低了功率损耗。
该器件设计坚固，最大功耗58W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在高环境温度下的可靠运行。其标准输入特性和适中的栅极电荷（149nC）简化了驱动设计。这些参数使其非常适合要求高效率、高可靠性的中高功率开关应用。
- 型号:STGFW30H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PF-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:58 W
- 开关能量:151J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
- 供应商器件封装:TO-3PF-3
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