STGFW30V60F技术参数详情：
STGFW30V60F是STMicroelectronics推出的一款600V、60A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-3P-3通孔封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在15V栅极驱动、30A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，实现了低导通损耗与高效率。
其开关特性经过优化，开启与关断延迟时间短，总开关能量较低，有利于提升系统工作频率并减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和58W的最大功耗能力，使其能够胜任工业电机驱动、变频器、UPS等中高功率、高可靠性应用环境的要求。
- 型号:STGFW30V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:58 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:TO-3PF
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