STGW60H65DF技术参数详情：
STGW60H65DF是意法半导体生产的一款650V、120A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合，典型Vce(on)仅为1.9V @ 15V, 60A，同时具备较低的栅极电荷（206nC）和开关能量，有助于提升系统效率并简化驱动设计。
该器件设计坚固，集电极脉冲电流能力达240A，最大功耗360W，工作结温范围-55°C至150°C，适用于高可靠性要求的工业环境。其标准输入特性确保了与通用驱动电路的兼容性，使其成为中大功率开关应用的稳健选择。
- 型号:STGW60H65DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:360 W
- 开关能量:1.5mJ（导通），1.1mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:206 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:67ns/165ns
- 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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