STGP10NB60SD技术参数详情：
STGP10NB60SD是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款600V、29A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-220封装。该器件设计用于提供高能效与可靠的功率开关解决方案。
其核心优势在于优异的电气参数平衡：1.75V的低饱和压降（@15V，10A）确保了低导通损耗，而700ns/1.2s的快速开关特性结合仅33nC的栅极电荷，有效降低了开关损耗。高达80W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽结温范围，使其能够胜任严苛环境下的持续工作。
总体而言，STGP10NB60SD通过优化导通与开关性能，为工业电机驱动、电源转换等高要求应用提供了一个高效、坚固的功率开关核心。
- 型号:STGP10NB60SD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 29A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:29 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:80 W
- 开关能量:600J（导通），5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:33 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/1.2s
- 测试条件:480V，10A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):37 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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