STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用MDmesh DM2技术，在650V的漏源电压（V_dss）下，实现了低导通电阻（典型87mΩ @ 10V）与低栅极电荷（典型70nC）的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

其额定连续漏极电流（I_d）在结温条件下为28A，最大功率耗散达300W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在汽车及工业等高要求环境下的高可靠性与稳健性能。TO-247封装为其提供了优异的散热能力。

• 型号:STW50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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