STGP19NC60SD技术参数详情：
STGP19NC60SD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V、40A分立IGBT，隶属于高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管，最大饱和压降Vce(on)低至1.9V @ 15V， 12A，有效降低了导通损耗，其最大功耗为130W。
在开关性能上，该IGBT具备快速的动态响应，开关能量组合（135J开，815J关）与仅31ns的反向恢复时间，共同优化了开关效率并减少了开关噪声。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的高可靠性，适用于电机驱动、电源转换及工业加热等中功率应用场景。
- 型号:STGP19NC60SD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 40A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:130 W
- 开关能量:135J（导通），815J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:54.5 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):31 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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