STGP30H60DF技术参数详情：
STGP30H60DF是意法半导体生产的一款600V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220-3封装。该器件设计用于实现高效率的功率开关，其核心优势在于较低的饱和压降（2.4V @ 15V， 30A）与优化的开关特性（开启/关断延迟分别为50ns/160ns），这有效平衡了导通损耗与开关损耗。
器件支持高达120A的脉冲电流，最大功耗为260W，并能在-40°C至175°C的结温范围内稳定工作。其标准输入电平和105nC的栅极电荷简化了驱动设计，使其成为电机驱动、逆变器和开关电源等中高功率应用的可靠解决方案。
- 型号:STGP30H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:350J（导通），400J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:105 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/160ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):110 ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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