STGP6M65DF2技术参数详情：
STGP6M65DF2是意法半导体M系列中的一款650V、12A沟槽栅场截止型IGBT。该器件集成了先进的沟槽栅与场截止技术，旨在实现低导通损耗与快速开关特性的最优组合，从而提升整体能效与功率密度。
其关键电气参数表现突出：在15V栅极驱动、6A集电极电流条件下，饱和压降典型值仅为2V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量极低（开启40J，关断136J），开关速度快，非常适合高频开关应用。器件采用TO-220-3通孔封装，最大功耗88W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了设计的灵活性与高可靠性。
- 型号:STGP6M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:40J（导通），136J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
- 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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