STGP7NB60KD技术参数详情：
STGP7NB60KD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V/14A IGBT，集成了快速恢复二极管。该器件基于PowerMESH技术，在导通损耗与开关性能间取得了良好平衡，其最大Vce(sat)仅为2.8V @ 7A，有助于提升能效。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（典型td(on/off)为15ns/50ns）和较低的栅极电荷（32.7nC），有利于降低开关损耗并简化驱动设计。80W的最大功耗能力和150°C的最高结温，确保了其在工业级应用中的稳定性和鲁棒性，适用于电机驱动、UPS、焊接设备及开关电源等中功率转换场景。
- 型号:STGP7NB60KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 14A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A
- 功率 - 最大值:80 W
- 开关能量:140J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:32.7 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/50ns
- 测试条件:480V，7A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):50 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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