STGW100H65FB2-4技术参数详情：
STGW100H65FB2-4是ST意法半导体推出的一款高性能650V、145A单管IGBT，隶属于HB2产品系列。该器件采用沟槽型场截止技术，在15V栅极电压、100A电流条件下，其最大饱和压降仅为1.8V，实现了优异的导通性能与低导通损耗。
其开关特性同样突出，总栅极电荷为288nC，开关能量较低（开启1.06mJ，关断1.14mJ），有助于减少开关损耗并提升系统频率。器件采用TO-247-4封装，提供独立的开尔文发射极引脚以优化驱动，最大功耗441W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在高要求应用中的鲁棒性和可靠性。
- 型号:STGW100H65FB2-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 145A TO-247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:145 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，100A
- 功率 - 最大值:441 W
- 开关能量:1.06mJ（导通）， 1.14mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:288 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/141ns
- 测试条件:SOT-323FL
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-4
- 供应商器件封装:TO-247-4
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