STGW10M65DF2技术参数详情：
STGW10M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款650V、20A沟槽栅场截止型IGBT单管。该器件设计用于提供高效率与高可靠性的功率开关解决方案，其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。
在10A集电极电流、15V栅极电压的典型条件下，其最大饱和压降仅为2V，配合28nC的低栅极电荷和较低的开关能量（开通120J，关断270J），有效降低了系统的导通与开关损耗。其40A的脉冲电流能力和高达175°C的结温工作范围，进一步确保了其在动态负载及高温环境下的稳健性能。该器件采用TO-247-3封装，最大功耗115W，适用于要求严苛的工业功率应用。
- 型号:STGW10M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:120J（导通），270J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:28 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
- 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):96 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 现在可以订购STGW10M65DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
