STGW15H120F2技术参数详情：
STGW15H120F2是ST意法半导体推出的一款高性能1200V、15A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。其核心优势在于平衡了低损耗与高可靠性，在15A电流下典型饱和压降仅为2.6V，有效降低了导通损耗。
该器件具备30A的最大集电极电流和60A的脉冲电流能力，开关速度快，总开关能量低，有助于提升系统效率并简化热管理。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的工业环境，是电机驱动、太阳能逆变器和UPS等高压功率转换应用的理想解决方案。
- 型号:STGW15H120F2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:380J（导通），370J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:67 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
- 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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