STU3LN80K5

STU3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用先进的电荷平衡技术，核心优势在于实现了800V高耐压与低导通电阻（典型值3.25Ω @1A, 10V）的卓越结合。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括极低的栅极电荷（最大2.63nC）和输入电容，有助于降低驱动损耗并提升开关速度。采用通孔IPAK（TO-251）封装，在壳温条件下支持2A连续电流和45W功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为离线电源、LED驱动等高压应用提供了可靠且高效的开关解决方案。

• 型号:STU3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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